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Wafers Silicium

Wafers Silicium

Les wafers sont utilisés pour la fabrication de substrats et de membranes de Silicium.
Les paramètres ci-dessous correspondent à nos modèles standards.
Nous pouvons sur demande proposer des wafers avec des caractéristiques différentes. Tous nos wafers silicium sont livrés avec certificats d'analyses. 

Accès direct aux brucelles pour wafers : brucelles

Nos wafers Silicium

Spécifications principales des modèles que nous tenons en stock :

  • Orientation : <100> 
  • Croissance : CZ et FZ
  • Résistivités : de 0.001 à > 20 000 Ω.cm
  • Avec méplats
  • Conditionnement : boîte de 25 pièces

Nous pouvons vous proposer des wafers avec des caractéristiques différentes. Il vous suffit de remplir les cases du tableau "Nos produits sur mesure" avec vos propres spécifications. 

 

P/N Ø Ep. (µm) Type / Dopant Faces polies Résistivité (Ω.cm) Ra (nm)
WAK2NFR 2" 300 n-As 1 0.001-0.005 < 4
WAFERS2-NFR 2" 300 n-As 1 0.001-0.005 < 0.5
WAS2 2" 280 n-P 1 1-10 < 1
WAFERS2-2FP 2" 280 n-P 2 1-20 < 0.5
WAK2PN2FP 2" 280 n-P 2 1-20 < 4
WAK2PN 2" 280 n-P 1 1-20 < 4
WAS2PIR 2" (FZ) 280 n-P 2 > 100 < 0.5
WAK2PFR 2" 275 p-B 1 0.03-0.05 < 4
WAK2PHR 2" (FZ) 300 p-B 1 4000 < 4
WAK2PP 2" 280 p-B 1 1-20 < 4
WAK2PP-2FP 2" 280 p-B 2 1-20 < 4
WAP2FZ 2" (FZ) 280 intrinsèque 1 > 20 000 < 0.5
WAP2FZ-2FP 2" (FZ) 280 intrinsèque 2 > 20 000 < 0.5
WAK3PP 3" 380 p-B 1 5-10 < 4
WAS3N40+ 3" 380 p-B 1 Indifférent < 1
WAK3PN 3" 380 n-P 1 1-20 < 4
WAK3PN-2FP 3" 1000 n-P 2 Indifférent < 4
WAK4NFR 4" 500 n-As 1 <0.005 < 4
WAS4P510 4" 525 n-P 1 5-10 < 0.5
WAFERS4P-2FP 4" 525 n-P 2 1-20 < 0.5
WAK4PN 4" 525 n-P 1 1-20 < 4
WAS4P1020 4" 525 n-P 1 10-20 < 0.5
WAS4PIR 4" (FZ) 525 n-P 2 > 100 < 0.5
WAK4PFR 4" 525 p-B 1 0.01-0.02 < 4
WAK4PP 4" 525 p-B 1 1-20 < 4
WAP4FZ 4" (FZ) 525 intrinsèque 1 > 20 000 < 0.5
WAP4FZ-2FP 4" (FZ) 525 intrinsèque 2 > 20 000 < 0.5
Quantité
En stockEn stock

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Diamètre
Epaisseur et faces polies
Autres spécifications
Quantité
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Oxydation thermique

Nous proposons un service d’oxydation thermique (par voie sèche ou humide) de nos wafers (ou sur vos wafers). L’épaisseur de la couche d’oxyde peut aller de 50 nm à 5 µm. L’oxydation d’une seule face du wafer est également possible.

Traitement
Diamètre wafer Si
Epaisseur
Quantité
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Nitruration

Nous proposons un service de nitruration Si3N4 (classique à 800°C ou low stress à 835°C) de nos wafers (ou de vos wafers). L’épaisseur de la couche peut aller de 50 nm à 1 µm.

Traitement
Diamètre wafer Si
Epaisseur
Quantité
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Dépôts sur wafers et susbtrats Silicium

Nous réalisons des couches métalliques (Ag, Al, Au, Cu, Pt, ...) sur nos wafers (ou vos wafers) par PVD (évaporation ou pulvérisation cathodique (sputtering)). Une couche d'accroche (Ti ou Cr) peut être nécessaire.

Nous pouvons également proposer des multi-couches.

Traitement
Diamètre wafers Si
Type de couches et épaisseur
Quantité
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Découpe de wafers et substrats Silicium

Nous proposons la découpe de wafers selon vos dimensions.

Exemples :

  • 10 mm x 10 mm
  • 5 mm x 5 mm
  • 5 mm x 10 mm, ...

Si vous désirez une offre, ou de plus amples informations sur ce produit : Contactez-nous

Contactez-nous

Boite individuelle pour wafer et susbtrat silicium

Boite individuelle pour wafer et susbtrat silicium

Boîtes individuelles pour wafer Silicium ou tout autre substrat, du 1" au 6".

Matériau : PP

Couleur : Transparent

Packaging :

  • à l'unité
  • par 25 pour compatibilité salle blanche
P/N Dimension wafers Packaging
BWA1S 1" 1
BWA15 1.5" 1
BWA2S 2" 1
BWA25 2.5" 1
BWA3S 3" 1
BWA4S 4" 1
BWA5 5" 1
BWA6S 6" 1
Quantité
En stockEn stock

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